英特尔全力押注 EUV 工艺 争取首发下代高 NA 光刻

　　原标题：英特尔全力押注 EUV 工艺 争取首发下代高 NA 光刻机

　　Intel 这几年在工艺进度上落后跟 10nm、7nm 工艺多次跳票有关，而新工艺延期也跟 Intel 此前不考虑 EUV 工艺有关，所以 10nm 工艺才上了四重曝光，导致良率上不去，迟迟无法量产。

　　Intel 之前认为 EUV 工艺不够成熟，现在 EUV 光刻工艺已经量产几年了，Intel 也开始跟进了，原先的 7nm 工艺、现在的 Intel 4 工艺会是全面使用 EUV 光刻机的开始，首款产品是 Meteor Lake 流星湖，2023 年发布。

　　之后的 Intel 3 工艺、Intel 20A 工艺上也会持续利用 EUV 工艺，进一步提升性能及能效。

　　再往后 Intel 还会积极跟进 EUV 技术发展，2025 年之后的工艺已经规划到了 Intel 18A，将使用第二代 RibbonFET 晶体管，EUV 光刻机也会有一次重大升级。

　　Intel 表示致力于定义、构建和部署下一代 High-NA EUV，有望率先获得业界第一台 High-NA EUV 光刻机。

　　Intel 目前正与 ASML 密切合作，确保这一行业突破性技术取得成功，超越当前一代 EUV。

　　这就意味着 Intel 很有可能首发下一代 EUV 光刻机，NA 数值孔径从目前的 0.33 提升到 0.5，这是 ASML 的 NXE：5000 系列，之前预计是在 2023 年问世，现在推迟到了 2025-2026 年，单台售价预计将超过 3 亿美元，差不多人民币 20 亿一台。

　　Intel 为了超越台积电、三星重返半导体技术一哥，现在可以说是拼了老命了，对玩家来说这倒是好事，以往的带头大哥回来了。