三星3nm GAAFET工艺节点或延期到2024年投入生产

　　原标题：三星3nm GAAFET工艺节点或延期到2024年投入生产

　　三星在2020年的时候，宣布攻克了3nm工艺节点的关键技术GAAFET全环绕栅极晶体管工艺，预计会在2022年正式推出新工艺，并在今年3月份的IEEE国际集成电路会议上，介绍了该工艺的相关细节。

　　据三星介绍，该工艺节点称为3GAE，其晶体管的结构使得设计人员可以通过调节晶体管通道的宽度来 地对其进行调谐，以实现高性能或低功耗。较宽的薄片可以在更高的功率下实现更高的性能，而较薄/较窄的薄片可以降低功耗和性能。相比7LPP工艺，3GAE可以在同样功耗下让性能提高30%，或同样频率下能让功耗降低50%，晶体管密度 可提高80%。此前三星表示，采用3GAE工艺技术已正式流片。

　　不过据SemiAnalysis网报道，采用了新技术的3GAE工艺节点似乎没那么顺利，批量生产推迟到了2024年。如果情况属实，这意味着三星在制造工艺上会继续落后于台积电（TSMC）。得益于新材料和新技术的运用，按照台积电的规划，2024年会将2nm工艺投入生产。

　　目前英特尔在10nm以下工艺的研发工作进展缓慢，早已落后于台积电和三星，短时间内也难以赶上。三星被视为最有机会赶上台积电的半导体制造厂商，特别是在3nm工艺节点上，比台积电更早引入GAAFET全环绕栅极晶体管工艺（台积电要到2nm工艺才会应用），被认为是赶超的关键。